专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]层叠体保持装置-CN202010837034.1在审
  • 阿部信平 - 丰田自动车株式会社
  • 2020-08-19 - 2021-02-26 - H01M10/0585
  • 本发明提供一种抑制片构件的层叠时的损伤的层叠体保持装置。层叠体保持装置具备:层叠台,供片构件层叠;按压机构,将层叠台朝向层叠层叠台的片构件的层叠方向上侧始终按压;一对夹紧杆,以与层叠台的左右两侧相对的方式层叠台的前后方向平行地配置;夹紧臂,固定于夹紧杆,用于将层叠层叠台的片构件从层叠方向上侧按压;滑动机构,使夹紧杆与层叠方向平行地移动;及倾斜机构,以使夹紧臂一边向层叠方向上侧打开一边离开层叠台的方式,另外,以使夹紧臂一边向层叠台接近一边朝向层叠方向下侧关闭的方式
  • 层叠保持装置
  • [发明专利]包括层叠的半导体芯片的半导体封装-CN202010155588.3在审
  • 李硕源 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-03-09 - 2021-02-23 - H01L25/065
  • 包括层叠的半导体芯片的半导体封装。一种半导体封装包括:基板;第一中介层,其设置在基板上方;第一芯片层叠物,其在第一中介层的一侧设置在基板上,其中,第一芯片层叠物包括以在第一方向上偏移的方式层叠的多个第一半导体芯片;第二芯片层叠物,其设置在第一芯片层叠物上,其中,第二芯片层叠物包括以在与第一方向相反的第二方向上偏移的方式层叠的多个第二半导体芯片;以及第三芯片层叠物,其在第一中介层的另一侧设置在基板上,其中,第三芯片层叠物包括以在第二方向上偏移的方式层叠的多个第三半导体芯片
  • 包括层叠半导体芯片封装
  • [发明专利]半导体存储装置-CN202110176825.9在审
  • 武木田秀人 - 铠侠股份有限公司
  • 2021-02-09 - 2021-10-29 - H01L27/11565
  • 实施方式提供一种能够抑制半导体基板的晶体缺陷的半导体存储装置。本实施方式的半导体存储装置具备基板。第一层叠体设于基板的上方,交替地层叠多个第一绝缘层与多个导电层而构成。第一层叠体在其侧部构成为阶梯状。多个柱状部贯通第一层叠体而设置。第二层叠体以与第一层叠体的侧部对置的方式设于基板的外缘部,交替地层叠多个第一绝缘层与多个导电层而构成。第二层叠体在与第一层叠体对置的侧部构成为阶梯状。在从第一层叠体的层叠方向观察时,多个第一狭缝在第一及第二层叠体的排列方向上设于第一及第二层叠体。多个第一狭缝贯通第一及第二层叠体。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]电动机的转子的制造方法-CN201780073328.8有效
  • 山口明;藤田克敏;武田和人 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2017-10-27 - 2022-06-14 - H02K1/30
  • 本公开的电动机的转子具备具有将预定的形状的芯板层叠而形成的层叠体的铁芯,铁芯具有作为多个层叠体的第1层叠体和第2层叠体,以使第1层叠体和第2层叠体在转子的旋转方向上的角度互不相同的方式配置有第1层叠体和第2层叠体。另外,本公开的电动机的转子的制造方法是具备具有将预定的形状的芯板层叠而形成的层叠体的铁芯的电动机的转子的制造方法。在本制造方法中,作为多个层叠体,准备第1层叠体和第2层叠体,以使第1层叠体和第2层叠体在转子的旋转方向上的角度互不相同的方式配置第1层叠体和第2层叠体,从而形成铁芯。
  • 电动机转子制造方法
  • [发明专利]半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法-CN202010842231.2在审
  • 野田耕生 - 铠侠股份有限公司
  • 2020-08-20 - 2021-03-19 - H01L27/11524
  • 实施方式提供一种半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法,其在以贯穿层叠体的上下方向的方式设置接触件的区域中,能够更简便地阻碍绝缘层向导电层的置换。实施方式的半导体存储装置具备:基板;以及层叠体,层叠于基板的上方,层叠体具有第一层叠部和第二层叠部,该第一层叠部交替地层叠有第一绝缘层和第二绝缘层,该第二层叠部交替地层叠有导电层和第一绝缘层,所述半导体存储装置具有柱,该柱在第二层叠部内沿着第二层叠部的层叠方向而延伸,并在与多个导电层中的至少一部分的导电层的交叉部形成有存储单元,第二绝缘层包括含有第一绝缘材料的内侧部分、以及含有第二绝缘材料的端面侧部分。
  • 半导体存储装置以及制造方法

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